パワー半導体は、性能を取るか信頼性を取るか、難しい課題を抱えていました。電力密度を高くするとデバイスの動作温度は高くなり、製品寿命に影響します。
この熱によるボトルネックを克服するには、新しい革新的な接合材料が必要となります。mAgic® DA295Aは独自のマイクロサイズ銀粒子を配合することにより、200℃の低温で焼結可能で、従来のはんだや接着剤に比べて放熱性の高い強固な純銀ダイアタッチ層を形成します。
半導体パッケージのデザインが複雑化すると、組み立てに関する新たな課題が発生します。mAgic® DA295Aは現行の製造プロセスをほぼそのまま使用可能ですので、シンプルかつフレキシブルな適用が可能です。従来品に比べディスペンス後のオープンタイムが改善されており、生産性の向上につながります。
mAgic® DA295Aの優れた熱伝導率により、パワーデバイスは高温で動作し、デバイスの長寿命化を実現します。本製品は、高出力・高信頼性のパワー半導体(RFパワーアンプ)およびパワーディスクリートパッケージ (パワーMOSFET、ダイオード、サイリスタなど)に適しています。
mAgic® DA295Aの主な特徴:
- 鉛フリー
- ハロゲン・ゼロ
- 安定した粘度特性
- 優れたディスペンス性
- 金(Au)表面に対する安定した接着力
- 低温焼結(200℃以上)
- ボイドフリー
- 焼結後の洗浄不要